3302场效应管参数,85A 20V,KNX3302A中文资料-KIA MOS管
3302场效应管参数,KNX3302A
KNX3302A场效应管采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压20V，漏极电流85A，RDS(on)=3.8mΩ(typ.) @ VGS=4.5V，提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作。3302场效应管适用于电池保护或其他开关应用。
KNX3302A场效应管性能出色，适用于各种应用领域，在蓄电池保护、负载开关以及不间断电源应用中都能够发挥出色的作用，为电子产品的稳定运行提供坚实的保障。KNX3302A场效应管封装形式：TO-252。
3302场效应管参数,KNX3302A参数
漏源电压：20V
漏极电流：85A
漏源通态电阻(RDS(on))：3.8mΩ
栅源电压：±12V
脉冲漏电流：340A
雪崩能量单脉冲：338MJ
总功耗：87W
输入电容：3850PF
输出电容：500PF
总栅极电荷：28nC
开通延迟时间：6.5nS
关断延迟时间：29.5nS
上升时间：17.2ns
下降时间：16.7ns
3302场效应管参数,KNX3302A规格书
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