可控硅和mos管的区别，图文详解-KIA MOS管

可控硅和mos管

MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种基于半导体材料和场效应原理的数字电子开关。它由源极（S）、漏极（D）、栅极（G）和互补介质氧化层（OX）组成。

MOS管可以通过栅极电压的控制来实现导通和截断状态的切换。当栅极施加正向电压时，会形成一个导通通道，电流可以从源极流向漏极；当栅极施加负向电压时，通道被封闭，电流无法通过。

可控硅是一种功率半导体器件，可以实现电流和电压的控制。它具有一个控制极（G）、一个负极（K）和一个正极（A）。

可控硅在导通状态下能够通过电流来控制，只有当控制极施加正向电流时，才能够使得正极和负极之间形成一个导通路径。一旦正向电流被断开，可控硅立即进入阻断状态，不再导通电流。

mos管

功率场效应管也分结型、绝缘栅型。但通常指后者中的MOS管，即MOSFET。mos管又分为N沟道、P沟道两种。

mos管器件符号如下：

耗尽型：栅极电压为零时，即存在导电沟道。无论VGS正负都起控制作用。

增强型：需要正偏置栅极电压，才生成导电沟道。达到饱和前，VGS正偏越大，IDS越大。

可控硅（SCR）

主要参数：

额定通态平均电流IT：代表了可控硅的电流驱动能力。

反向阻断峰值电压VPR：反向控制管子关断的电压。

控制极触发电流Ig：触发可控硅导通的最小电流。

维持电流IH：没有触发的情况下，维持可控硅导通的最小源、漏级电流。

作用：

整流、逆变，一般用于电源、拖动驱动电路。

目前，工艺设备中使用可控硅作为电源、驱动的越来越少，逐步被IGBT取代，但千安以上的大电流驱动还有很广泛的应用，比如发电厂、焊机。

特点：

电流大（可以到几千、上万安培），但开关速度慢。大电流的可控硅关断往往需要辅助电路。

可控硅和mos管的区别

工作原理：

可控硅的工作原理基于PN结组成的四层结构，该结构在正向电流注入时会形成一种相互注入的状态，从而实现导通。同时，可控硅也需要一个触发电压来将其从阻断状态切换到导通状态。触发电压可以是正向电压脉冲、连续正向电压或施加在G极的触发脉冲。

MOS管的工作原理基于栅极电压的变化，其栅极与互补介质氧化层（OX）之间的电容可以通过施加不同的电压来进行控制。当栅极电压高于临界电压时，导通通道形成，将电流从源极引导到漏极。而当栅极电压低于临界电压时，导通通道关闭，电流无法通过。

外部特征：

可控硅和MOS管的外部外形和引脚排列也存在一些区别。可控硅常常采用多脚直插封装，每个引脚分别标有G、K和A；而MOS管常采用TO-92、TO-126或SOT-23等封装形式，通常具有源极、漏极和栅极三个引脚。

作用不同：

可控硅是一种双向可导通的半导体开关，可以通过控制其触发角来调节电流的大小，在可控硅调光中，通过改变可控硅的触发角，控制电路的导通时间，从而达到调节灯光亮度的目的；MOS管除了具有信号放大作用，还具有开关作用，作为开关时，MOS管的开关速度要高于可控硅。

应用：

可控硅由于其能够控制大功率电流，因此广泛应用于交流电调光、交流电电机调速、交流电电源控制等高功率场合。此外，可控硅还被广泛应用于起动电路、保护电路和能源调节等领域。

MOS管由于其具有较高的开关速度和较低的功耗，广泛应用于数字电路、通信系统和计算机等领域。在集成电路中，MOS管被用于构建逻辑门、存储器芯片和微处理器等数字电路。

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