mos管失效原因,六大失效原因及解决措施-KIA MOS管
mos管失效原因
MOS管失效的原因包括且不限于以下：
1、雪崩失效（电压失效），也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。
2、SOA失效（电流失效），既超出MOSFET安全工作区引起失效，分为Id超出器件规格失效以及Id过大，损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。
3、体二极管失效、在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中，由于体二极管遭受破坏而导致的失效。
4、谐振失效、在并联使用的过程中，栅极及电路寄生参数导致震荡引起的失效。
5、静电失效、在秋冬季节，由于人体及设备静电而导致的器件失效。
6、栅极电压失效、由于栅极遭受异常电压尖峰，而导致栅极栅氧层失效。
mos管失效解决措施
1、雪崩失效（电压失效），也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。
预防方法
--MOS管选型时，耐压要留足的余量
--加吸收电路，吸收过高的VDS尖峰
--PCB布线时，尽量缩短，减小寄生电感
--选择合理的驱动电阻，兼顾开关速度
2、SOA失效（电流失效），既超出MOSFET安全工作区引起失效，分为Id超出器件规格失效以及Id过大，损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。
预防办法
--选型时，提高电流余量尽量选用封装体积大的MOS管MOS管尽量加散热器，改善散热条件，降低器件的工作温度。
--产品设计时，需要注意过流和过载环路的反应时间，避免反应超时导致SOA失效。
3、体二极管失效：在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中，由于体二极管遭受破坏而导致的失效。
预防办法
--选用恢复时间较小的MOS管
--优化设计电路
4、谐振失效：在并联使用的过程中，栅极及电路寄生参数导致震荡引起的失效。
预防办法
--PCB布线时，走线需要尽量短，尤其是MOS管驱动信号线。
--驱动回路中串联电阻，以增大阻尼。
5、静电失效：在秋冬季节，由于人体及设备静电而导致的器件失效。
预防办法
--制程中 注意静电防控，作业人员要带静电环，相关设备需要接地。
--MOS管运输储藏过程，需要用防静电袋。
6、栅极电压失效：由于栅极遭受异常电压尖峰，而导致栅极栅氧层失效。
预防办法
--建议在设计时加稳压管
--在有栅极驱动变压器驱动的电路中需要注意驱动电压的变化，以防超出MOS管栅极的安全工作电压范围。
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