mos管防反接电路图,防反接电路原理-KIA MOS管
mos管防反接电路原理
优点：占地面积小，成本低，压降小，可过大电流。
原理：PMOS、NMOS做反接保护的原理都一样，以PMOS的电路为例。
PMOS：-电源极性正常接入时。Q2的寄生二极管导通，右侧S极的电压为（24-0.7）=23.3V。
G极电压为R9、R10的分压24x（200/（100+200））=16V。
于是Q2的Vgs=16-23.3=-7.3V。
大于AO3401的门极导通阀限电压-1.3V，MOS管DS极导通。
MOS导通后，MOS的寄生二极管被DS短路。
此时的压降Vds仅等于MOS-DS极内阻x电流，Q2热功耗很小。
-电源反接时，Q2的寄生二极管关断，DS极需要承受电压。
设计要点：R9、R10的取值，要保证不会超出最大Vgs电压范围，并且留有一定安全余量。
MOS管的选型，要考虑Vds、Vgs、DS极导通电阻（Rds-on）、DS极电流。
MOS尽量使用Rds-on小的型号。
P-MOS反接保护电路：
图中R9、R10为分压作用。使P-MOS的Vgs，不会超过±12V的最大Vgs电压范围，并且留有一定安全余量。
N-MOS反接保护电路：
图中R9、R10为分压作用。使N-MOS的Vgs，不会超过±12V的最大Vgs电压范围，并且留有一定安全余量。
mos管防反接电路图
使用“P型”MOS管的防电源反接电路。
使用MOS管实现的防电源反接电路，在电源正确接入时，电源正常对负载供电。在电源正负极反接时，断开负载电路，从而保护负载。
电路分析（以Vin = 5V为例）
1、电源正确接入时
电源正常接入，也就是电源没有正负反接，此时电源正常对负载供电。
假设拿掉MOS管g极的电阻R1，此时MOS管将不导通，但Vin可以通过MOS管的体二极管对负载进行供电。
体二极管的压降约为 5V - 4.3V = 0.7V。
实际上MOS管的g极是有电阻R1的，MOS管的g极通过电阻R1接到电源负极的GND。
在MOS管导通前，Vin的电压依然通过MOS管体二极管串到Vout（也就是MOS管s极的电压）。
而当Vout从0上升到足够高时（往往不需要到4.3V），已经有足够大的Vgs电压将MOS管打开，最终各点的电压如下图。
此时Vgs= Vg - Vs = 0 - 5V = -5V。
2、电源正负极反接时
由于MOS管g极电压为5V --> 所以Vgs电压大于0 --> MOS管不导通，且体二极管也反向截止 --> 电流不能形成回路 --> 负载被保护。
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