mos管的掺杂浓度,mos管掺杂类型-KIA MOS管
mos管的掺杂浓度
MOS管是一种基于金属-氧化物-半导体结构的场效应晶体管，由金属栅极、氧化物绝缘层和半导体衬底组成。
其中，半导体衬底上形成了一个N型或P型沟道区域，该区域被氧化物绝缘层隔离，并通过金属栅极施加电场控制着沟道区的导通和截止。
掺杂浓度对MOS管性能的影响
1.电阻率：与掺杂浓度成反比例关系；
2.阈值电压：与掺杂浓度成正比例关系；
3.漏电流：与掺杂浓度成指数函数关系；
4.迁移率：与掺杂浓度呈现抛物线形状。
N沟道MOS管的掺杂浓度
1.沟道区掺杂浓度：一般在1e15/cmへ3~5e16/cmへ3之间；
2.衬底掺杂浓度：一般在1e16/cmへ3~5e18/cmへ3之间；
3.接近衬底表面的沟道区掺杂浓度：一般要比深处高，因为表面态的影响。
P沟道MOS管的掺杂浓度
1.沟道区掺杂浓度：一般在1e15/cmへ3~5e16/cmへ3之间；
2.衬底掺杂浓度：一般在1e16/cmへ3~5e18/cmへ3之间；
3.接近衬底表面的沟道区掺杂浓度：同样要比深处高。
mos管掺杂类型
MOS管的掺杂类型主要分为P型和N型。
P型半导体是通过掺杂三价元素（如硼）形成的，其中空穴（多子）为主要载流子，因此P型半导体中空穴的浓度较高。P型半导体的特点是具有较高的空穴浓度，使其在电导性上表现为正电性。
N型半导体则是通过掺杂五价元素（如磷）形成的，其中电子（多子）为主要载流子，因此N型半导体中电子的浓度较高。N型半导体的特点是具有较高的电子浓度，使其在电导性上表现为负电性。
MOS管的工艺上为何要用两层掺杂浓度不同的N型半导体来做N区？
图中的N+是衬底（Substrate） ，N+表示高浓度N型参杂，衬底是构建MOSFET的基础（类似于盖房子的地基）。 N-为外延层，N-表示低浓度参杂，在MOSFET截止时N-形成耗尽区，以保证MOSFET具有标称的耐压。N+与漏极的电极连接，高浓度参杂以降低其电阻率。
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