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4706参数,4706场效应管,SOP-8引脚参数规格资料-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2024-05-15 

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KIA4706A是高单元密度沟槽N沟道MOSFET,为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDSON和栅极电荷。KIA4706A满足RoHs和绿色产品的要求。


KIA4706A场效应管采用先进的高单元密度沟槽技术,性能出色,漏源击穿电压60V,漏极电流8A,具有RDS(开)仅为10mΩ(在VGS=10V时的典型值),在应用中表现出超低的电阻,还具有超低的栅极电荷,在高频应用中表现出色,绿色环保设备具有更低的能耗和减少对环境的影响,在Cdv/dt效应下降方面,能够稳定输出信号,保证电路的稳定性。4706A场效应管是一款性能卓越、适用范围广泛的元件,能够满足不同领域的需求。

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漏源电压:60V

漏极电流:8A

漏源通态电阻(RDS(on)):10mΩ

栅源电压:±20V

脉冲漏电流:32A

雪崩能量单脉冲:72MJ

总功耗:1.5W

总栅极电荷:30nC

输入电容:3240PF

输出电容:210PF

开通延迟时间:10.6nS

关断延迟时间:65.6nS

上升时间:9ns

下降时间:4.8ns


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KIA半导体是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业,竭诚服务全球开关电源、绿色照明、电机驱动、汽车电子、新能源充电桩、太阳能设备、数码家电、安防工程等行业长期合作伙伴,主动了解客户需求,不断研发创新,为客户提供绿色、节能、高效的功率半导体产品。


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