4953场效应管参数,4953参数引脚图,PmosKIA4953-KIA MOS管
4953场效应管参数引脚图
KIA4953双P沟道MOSFET是KIA先进的P沟道工艺的一个坚固的栅极版本，针对需要大范围给定驱动电压的电源管理应用进行了优化。额定值（4.5 V–20 V）。KIA4953场效应管封装形式：SOP-8。
KIA4953场效应管具有出色性能，漏源击穿电压-30V，漏极电流-5.3A，表现出优异的电气特性；当Vgs为-10V时，其RDS(on)为54mΩ，而当Vgs为-4.5V时，其RDS(on)为84mΩ，显示出在不同工作条件下的电阻特性。
4953场效应管具有低压充放电的特点，典型值为6Nc，在电路中实现更快的响应速度，还具有高功率和电流的能力，能够满足对高性能的需求，适合在各种要求严格的场合使用，以及快速切换速度，能够有效提高电路的响应速度和效率，为电路设计和应用提供了可靠的保障。
4953场效应管参数,KIA4953参数
漏源电压：-30V
漏极电流：-5.3A
漏源通态电阻(RDS(on))：54mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：-20A
总功耗：2W
总栅极电荷：6.0nC
输入电容：525PF
输出电容：130PF
开通延迟时间：7nS
关断延迟时间：14nS
上升时间：13ns
下降时间：9ns
4953场效应管参数,KIA4953规格书
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
