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9435参数及引脚,9435场效应管
KIA9435是高单元密度沟槽P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。KIA9435满足RoH和绿色产品的要求。
9435场效应管漏源击穿电压-30V，漏极电流-5.3A，RDS（开）=50mΩ（典型值）@VGS=-10V，超低栅极电荷，出色的Cdv/dt效应下降提升整体性能。9435mos管封装形式：SOP-8，散热效果良好，适用于各种应用场景。
9435参数及引脚,9435场效应管参数
漏源电压：-30V
漏极电流：-5.3A
漏源通态电阻(RDS(on))：50mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：-20A
总功耗：2.5W
总栅极电荷：12nC
输入电容：525PF
输出电容：132PF
开通延迟时间：15nS
关断延迟时间：57nS
上升时间：13.2ns
下降时间：20ns
9435参数及引脚,9435场效应管规格书
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