7P03参数引脚,7P03场效应管,PMOS管KIA7P03A-KIA MOS管
7P03参数引脚,7P03场效应管资料
KIA7P03A功率场效应管采用先进的高密度沟槽技术，拥有优异的性能表现，电流能力为-7.5A，电压为-30V，典型的导通电阻RDS（ON）为18mΩ，在栅源电压为10V时；7P03场效应管具有超低的栅极电荷，可以在电路中发挥重要作用，还具有优良的CDV/dt效应递减，采用绿色环保材料，符合可持续发展的理念，封装形式：SOP-8，适用于各种应用场景，7P03场效应管稳定可靠的性能为电路设计和应用提供了可靠的保障。
7P03参数引脚,7P03场效应管参数
漏源电压：-30V
栅源电压：±20V
漏电流连续：-7.5A
脉冲漏极电流：-50A
雪崩电流：-38A
雪崩能量：72.2mJ
耗散功率：3.1W
栅极阈值电压：2.5V
输入电容：1345PF
输出电容：194PF
上升时间：19.6ns
7P03参数引脚,7P03场效应管规格书
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
