mos管电容计算公式,mos管电容计算详解-KIA MOS管
mos管电容计算
1、直流电容的计算：MOS电容的容量可以通过使用两个公式来计算，即C=εoA/d，其中C为电容值，εo为真空介电常数，A为极板的面积，d为极板之间的距离。
2、交流电容的计算：MOS电容的交流电容可以使用另外一个公式来计算，即Xc=1/（2πfC），其中Xc是电容的因数，f为频率，C为电容值。
mos管电容计算公式
1.总寄生电容计算
2.Cox计算
例如：栅电容Cgg=Cox*W*L，W和L我们可以直接从器件参数得到，接下来我们需要知道MOS管的Cox具体值
（1）介电常数：
它是表示绝缘能力特性的一个系数，符号为ε，单位为F/m（法/米）
（2）相对介电常数：
某种电介质的介电常数ε与真空介电常数ε0的比值，称为该电介质的相对介电常数，符号为εr，即εr=ε/ε0，εr是无量纲的纯数，其中真空介电常数ε0=8.854E-12F/m，SIO2的相对介电常数为εr=3.9，所以SIO2的介电常数ε=εr*ε0=3.9×8.854E-12F/m
（3）Cox计算
Cox是介质的介电常数ε与tox的比值，tox可以在工艺model文件(.scs文件)中找到，以HHG90工艺为例：
在model文件中可以查到NCH5的toxn=1.15E-08m，PCH5的toxp=1.14E-08m，SIO2的介电常数ε=3.9×8.854E-12F/m，
Coxn=ε/toxn=3fF/um2；
Coxp=ε/toxp=3.02fF/um2
3.CGB、CGS和CGD电容
在饱和区，电路中的最高电容是 CGS。晶体管栅极的输入电容等于CGG≈CGS，与栅漏电容 CGD 相比，CGS 比CGD大了一个2/3(WLCox)。在截止区时，CGB=WLCox，在饱和、线性区为0。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
