mos管电容计算公式,mos管电容计算详解-KIA MOS管
mos管电容计算
1、直流电容的计算:MOS电容的容量可以通过使用两个公式来计算,即C=εoA/d,其中C为电容值,εo为真空介电常数,A为极板的面积,d为极板之间的距离。
2、交流电容的计算:MOS电容的交流电容可以使用另外一个公式来计算,即Xc=1/(2πfC),其中Xc是电容的因数,f为频率,C为电容值。
mos管电容计算公式
1.总寄生电容计算
2.Cox计算
例如:栅电容Cgg=Cox*W*L,W和L我们可以直接从器件参数得到,接下来我们需要知道MOS管的Cox具体值
(1)介电常数:
它是表示绝缘能力特性的一个系数,符号为ε,单位为F/m(法/米)
(2)相对介电常数:
某种电介质的介电常数ε与真空介电常数ε0的比值,称为该电介质的相对介电常数,符号为εr,即εr=ε/ε0,εr是无量纲的纯数,其中真空介电常数ε0=8.854E-12F/m,SIO2的相对介电常数为εr=3.9,所以SIO2的介电常数ε=εr*ε0=3.9×8.854E-12F/m
(3)Cox计算
Cox是介质的介电常数ε与tox的比值,tox可以在工艺model文件(.scs文件)中找到,以HHG90工艺为例:
在model文件中可以查到NCH5的toxn=1.15E-08m,PCH5的toxp=1.14E-08m,SIO2的介电常数ε=3.9×8.854E-12F/m,
Coxn=ε/toxn=3fF/um2;
Coxp=ε/toxp=3.02fF/um2
3.CGB、CGS和CGD电容
在饱和区,电路中的最高电容是 CGS。晶体管栅极的输入电容等于CGG≈CGS,与栅漏电容 CGD 相比,CGS 比CGD大了一个2/3(WLCox)。在截止区时,CGB=WLCox,在饱和、线性区为0。
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