3303MOS管,3303场效应管参数引脚DFN3*3,原厂现货-KIA MOS管
3303MOS管,3303场效应管资料
KNG3303C场效应管是一款性能优越的器件，漏源击穿电压30V，漏极电流90A，具有极低的导通电阻，RDS(ON)仅为2.6mΩ(typ.)@VGS=10V；在PWM应用和负载开关中表现出色，为电源管理提供了强大支持，还具有低Crss、快速切换、100%雪崩测试和改进的dv/dt能力，保证了稳定可靠的性能。封装为DFN3*3/5*6，体积小巧，便于安装。无论是在工业控制还是电源系统中，KNG3303C都能发挥出色的作用，为电路设计带来便利与高效。
3303MOS管,3303场效应管参数
漏源电压：30V
漏极电流：90A
漏源通态电阻(RDS(on))：2.6mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：400A
雪崩能量单脉冲：289MJ
总功耗：66W
总栅极电荷：60nC
输入电容：3280PF
输出电容：360PF
开通延迟时间：10nS
关断延迟时间：54nS
上升时间：100ns
下降时间：98ns
3303MOS管,3303场效应管规格书
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