IGBT驱动电路保护设计（适用于MOS管）-KIA MOS管
IGBT的理想等效电路及实际等效电路如下图所示：
IGBT是由一个N沟道的MOS管FET和一个PNP型GTR组成，以GTR为主导器件，MOS管为驱动器件。GiantTransistor-GTR电力晶体管。这也导致其性能上与MOS管有所差异。
注意区域的划分与MOS管不一样，从其结构原理区理解，下图中1为截止区，2为线性区（退饱和区），3为饱和区（电压饱和），4位雪崩击穿区。开关状态工作在饱和区和截止区。
短路保护
短路有两种，直通短路（短路电流迅速上升，迅速进入退饱和区）和负载短路（短路电流逐渐上升）。
区分：IGBT退饱和区类似与MOS管的恒流区，期望工作在饱和区，在退饱和区其损耗会成倍增加。
什么情况下IGBT会进入退饱和状态？--退饱和一般发生在器件短路时。
假如有一种工况，Ic持续增大，当大到一定程度，这个时候Vce增加很快，但Ic上升速率变慢，IGBT便进入了退饱和区，即红色方框右边的区域，这个区域有两个显著的特点：Vce和Ic的乘积非常大，也就是损耗功率很大，往往超过10us就会烧坏，很危险；饱和区电流与Vge成正相关，即Vge大的话，进入饱和区的电流也会大一点，下图也可以看出来。
当发生短路直通时，电流急剧增加导致IGBT会迅速进入退饱和区，其两端的电压VCE会迅速达到直流母线电压；而流过IGBT的电流IC，会达到额定电流的4倍甚至更多，取决于IGBT的类型及门极电压。
这时，IGBT所消耗的功率，会瞬时达到兆瓦级。如果不能在很短的时间内减小短路电流，IGBT会因为芯片过热而烧毁。
然而，如果短路时的关断速度像正常关断一样快，会产生很大的di/dt，由于寄生电感的存在，该di/dt会在IGBT两端带来很大的电压尖峰，使得IGBT过压击穿。
为了解决短路时巨大的关断尖峰，可引入了软关断技术。在IGBT发生短路直通时，在保证短路时间不超过10us的前提下，通过缓慢的降低门极电压VGE，既保证了IGBT芯片不会因为过温烧毁，也有效降低了di/dt，避免了关断时的电压尖峰，保证了IGBT的安全。
上图左边发生短路，右边软关断。粉红色为Vce，蓝色为Vge，绿色为Ic；
图中Vce没有降到0，说明IGBT未完全开通即进入退饱和，属于第一种短路类型。
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