MOS管开关电路,开关电路图实例分析-KIA MOS管
MOS管开关电路实例1（MOS管用于控制负载）
导通条件：Vgs＞Vth，R1、R2的作用是为了给G、S之间创造一个Vgs电压，不需要去关心G、D之间的电压关系（只要没有达到击穿电压）。另外S极不一定需要接地，只需要满足Vg与Vs之间的一个电势差大于Vth，MOS管依然能够起到一个开关作用。
需要注意的事项：
（1）注意IO口的最大驱动峰值电流，不同芯片的IO口驱动能力不一样。
（2）了解MOS管的寄生电容，如果寄生电容值较大，导通需要的能量越大，如果IO口的输出电流峰值较小，管子导通就相对较慢。
MOS管开关电路实例2（MOS管控制电源输出）
这里我们使用NPN和NMOS管进行开关设计（如图四），当Q2输入低电平时候，三极管Q2不导通，MOS管Q1的Vgs=0，MOS管Q1不导通。当Q2输入电平为高时，三极管导通，MOS管Q1的Vgs＞Vth，MOS管Q1导通。
需要注意的事项：
（1）注意MOS管 D、S之间的二极管的方向，不导通的时候，二极管方向应该与电源输出方向相反。
（2）由于MOS管导通的时候存在内阻，所以MOS管输出电压小于实际输入电压。
总结：在选MOS管做开关时，首先选MOS管的Vds电压和其Vth开启电压，再就是Id电流值是否满足系统需要，虽然在这些都满足的条件下，我们也不能忘记关于MOS管所产生的寄生电容，当我们选择的控制IO口由于带载能力较弱，而MOS管之间存在较大的寄生电容，这时我们的开关就不能及时响应，然后再考虑封装、功耗、价格之类次要一些的因素，以上是用N沟道MOS管举例，P沟道MOS管基本也是一样的原理。
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