功放场效应管,功放MOS管,6165场效应管参数资料-KIA MOS管
功放MOS管,6165场效应管参数引脚图
KNF6165B场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流10A，符合RoHS标准，适用于音响功放、适配器、充电器和SMPS备用电源等多种应用场景，RDS（ON）典型值为0.75Ω，在VGS为10V时性能出色，低栅极电荷的最小化设计有效降低开关时的损耗，配备快速恢复体二极管，在电路切换时能够更加稳定可靠。6165场效应管不仅在功率放大和电源管理方面表现出色，而且在节能和稳定性方面也具备出色的性能表现，在家庭音响系统、工业设备的电源控制中都能发挥重要作用，为电路的高效运行提供稳定可靠的支持。
功放MOS管,6165场效应管参数
漏源电压：650V
漏极电流：10A
漏源通态电阻(RDS(on))：0.75Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：40A
雪崩能量单脉冲：800MJ
总功耗：125/45W
总栅极电荷：30nC
输入电容：1650PF
输出电容：125PF
开通延迟时间：10nS
关断延迟时间：41nS
上升时间：15ns
下降时间：16ns
功放MOS管,6165场效应管规格书
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
