led调光器,调光专用MOS管,KIA4603A场效应管参数-KIA MOS管
调光MOS管,KIA4603A场效应管参数引脚图
调光专用MOS管KIA4603A漏源击穿电压30V，漏极电流7A，RDS（开）=14.5mΩ（典型值）@VGS=10V；具有超低栅极电荷，出色的Cdv/dt效应下降，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗等特性，满足RoHs和绿色产品的要求，确保led调光器的性能稳定可靠。
KIA4603A是高单元密度沟槽式N沟MOSFET，可提供出色的RDSON以及用于大多数同步降压转换器应用的栅极电荷，适用于多种应用领域，封装形式：SOP-8，体积小，散热良好，使用方便。
调光MOS管,KIA4603A场效应管参数
漏源电压：30V
漏极电流：7A
漏源通态电阻(RDS(on))：14.5mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：35A
雪崩能量单脉冲：20MJ
总功耗：1.5W
总栅极电荷：6nC
输入电容：583PF
输出电容：77PF
开通延迟时间：1.2nS
关断延迟时间：18nS
上升时间：40ns
下降时间：7.2ns
调光MOS管,KIA4603A场效应管规格书
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