7150场效应管,20A 500V,KNH7150A参数引脚图-KIA MOS管
7150场效应管,20A 500V,KNH7150A
KNH7150A场效应管采用专有新平面技术，漏源击穿电压500V，漏极电流20A，RDS(ON),typ.=0.24Ω@VGS =10V，具有低栅极电荷最小化开关损耗、快恢复体二极管，是一款性能出色的器件，7150场效应管在适配器充电器、开关电源、液晶面板电源应用中表现出色，可与20N50场效应管代换使用，封装形式：TO-3P。
7150场效应管,20A 500V,KNH7150A参数
漏源电压：20V
漏极电流：500A
漏源通态电阻(RDS(on))：0.24Ω
栅源电压：±30V
雪崩能量单脉冲：1500MJ
总功耗：275W
总栅极电荷：65nC
输入电容：2650pF
输出电容：255pF
反向转移电容：34pF
开通延迟时间：34nS
关断延迟时间：164nS
上升时间：76ns
下降时间：85ns
7150场效应管,20A 500V,KNH7150A规格书
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