MOS管快速关断,加速mos管关断电路-KIA MOS管
提高驱动电流能力
直接用单片机IO口驱动来实现MOS管快速开关太困难了,毕竟单片机IO口驱动能力实在有限。选用两个三极管搭建推挽输出驱动电路是个成本较低的不错选择。
PNP加速关断驱动电路
如图使用PNP加速NMOS关断,开启时电流通过二极管D,关断时则利用PNP三极管主动从G极汲取电流。
下图展示了PNP加速NMOS关断的动态过程电流流向。左图在控制端从低电平往高电平切换时,Vbe>0,Q2关断,充电电流从二极管D流入,Q1开启;右图在控制端从高电平往低电平切换时,G极电平不会瞬间变化,此时Vbe<-0.7V,Q2导通,Q2快速将电荷从G极汲取走,使G极电平快速下降,达到Q1快速关断的目的。
PNP加速关断电路是目前应用最多的电路,在加速三极管的作用下可以实现瞬间的栅源短路,从而达到最短的放电时间。之所以加二极管,一方面是保护三极管基极,另一方面是为导通电流提供回路及偏置。
该电路的优点为可以近似达到推拉的效果,加速效果明显。缺点是栅极由于经过两个PN节,不能使栅极真正的达到OV(GND),但电压很低,不影响NMOS的完全关断。
NPN加速关断驱动电路图
使用NPN加速PMOS关断的电路,关断时电流通过二极管D,导通时则利用NPN三极管主动往G极灌入电流。
下图展示了NPN加速PMOS关断的动态过程电流流向。左图在控制端从高电平往低电平切换时,Vbe<0,Q1关断,放电电流从二极管D流出,Q2开启;右图在控制端从低电平往高电平切换时,G极电平不会瞬间变化,此时Vbe>0.7V,Q1导通,Q1快速将电荷从G极灌入,使G极电平快速上升,达到Q2快速关断的目的。
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