MOS管快速关断,加速mos管关断电路-KIA MOS管

提高驱动电流能力

直接用单片机IO口驱动来实现MOS管快速开关太困难了，毕竟单片机IO口驱动能力实在有限。选用两个三极管搭建推挽输出驱动电路是个成本较低的不错选择。

MOS管关断,快速,加速

PNP加速关断驱动电路

如图使用PNP加速NMOS关断，开启时电流通过二极管D，关断时则利用PNP三极管主动从G极汲取电流。

MOS管关断,快速,加速

下图展示了PNP加速NMOS关断的动态过程电流流向。左图在控制端从低电平往高电平切换时，Vbe>0，Q2关断，充电电流从二极管D流入，Q1开启；右图在控制端从高电平往低电平切换时，G极电平不会瞬间变化，此时Vbe<-0.7V,Q2导通，Q2快速将电荷从G极汲取走，使G极电平快速下降，达到Q1快速关断的目的。

MOS管关断,快速,加速

PNP加速关断电路是目前应用最多的电路，在加速三极管的作用下可以实现瞬间的栅源短路，从而达到最短的放电时间。之所以加二极管，一方面是保护三极管基极，另一方面是为导通电流提供回路及偏置。

该电路的优点为可以近似达到推拉的效果，加速效果明显。缺点是栅极由于经过两个PN节，不能使栅极真正的达到OV（GND），但电压很低，不影响NMOS的完全关断。

NPN加速关断驱动电路图

使用NPN加速PMOS关断的电路，关断时电流通过二极管D，导通时则利用NPN三极管主动往G极灌入电流。

MOS管关断,快速,加速

下图展示了NPN加速PMOS关断的动态过程电流流向。左图在控制端从高电平往低电平切换时，Vbe<0,Q1关断，放电电流从二极管D流出，Q2开启；右图在控制端从低电平往高电平切换时，G极电平不会瞬间变化，此时Vbe>0.7V,Q1导通，Q1快速将电荷从G极灌入，使G极电平快速上升，达到Q2快速关断的目的。

MOS管关断,快速,加速