fhp100n07参数代换,KNP2906B场效应管参数引脚图-KIA MOS管
fhp100n07参数代换,KNP2906B场效应管
KNP2906B能够代换飞虹fhp100n07场效应管进行使用，KNP2906B采用KIA的先进技术生产，使MOS管具有更好的特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷和特别优异的雪崩特性。
KNP2906B场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流130A，其RDS（开）典型值为4.6mΩ@VGS=10V，低栅极电荷（典型值为148nC），具有高坚固性和100％的雪崩测试，稳定可靠；还具有改进的dv/dt能力，适用于同步整流、锂电池保护板和逆变器等多种应用场景，能够有效减小功率损耗和提高整体效率。
fhp100n07参数代换,KNP2906B场效应管参数
漏源电压：60V
漏极电流：130A
漏源通态电阻(RDS(on))：4.6mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：580A
雪崩能量单脉冲：506MJ
总功耗：195.3W
总栅极电荷：148nC
输入电容：6564PF
输出电容：553PF
开通延迟时间：35nS
关断延迟时间：135nS
上升时间：78ns
下降时间：60ns
fhp100n07参数代换,KNP2906B场效应管规格书
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