igbt输出特性曲线、工作区分析-KIA MOS管
IGBT输出特性曲线的几个工作区：
IGBT输出特性曲线图
①正向阻断区（截止区）：
当门极电压Vge＜Vge（th），IGBT内部MOS沟道被夹断，IGBT工作在截止区，由于外部电压Vce的存在，此时IGBT集电极-发射极之间存在很小的漏电流Ices。
②有源区（线性放大区）：
当门极电压Vge≥Vge（th），且Vce》Vge-Vge（th）时，IGBT工作在图2预夹断轨迹右侧区域，此时流入到N-基区的电子电流In受到门极电压的控制，进而限制了IGBT内部PNP晶体管的基极电流，最终空穴电流Ip也受到限制，因此该区域的IGBT集电极电流Ic会进入饱和状态（类似MOSFET），至于IGBT为什么不称该区域为饱和区，可能是为了与导通后的电压饱和区分开。
由于该区域IGBT的集电极电流主要受门极电压控制，因此也称为放大区或有源区。我们常说的有源门极驱动或主动门极控制指的就是控制IGBT在该区域的开关轨迹。IGBT在有源区损耗会很大，应该尽快跨过该区域。
③饱和区：
当Vge≥Vge（th），且Vce＜Vge-Vge（th）时，IGBT处于饱和区（电压饱和），该区域集电极电流基本不再受门极电压控制，主要由外部电路决定。该区域的曲线和MOS类似，但是名字却不一样，主要是因为IGBT完全导通后的饱和压降主要取决于电导调制，而MOS的导通压降主要取决于漏极电流（呈电阻特性）。
④雪崩击穿区：
当IGBT的集电极-发射极电压Vce大于某一特定最高允许电压Vbrces时，IGBT会出现雪崩击穿，器件会损坏。
⑤反向阻断区：
我们常用的IGBT都属于非对称结构，器件的反向电压阻断能力要远小于IGBT的正向电压阻断能力。同时由于工业现场的很多负载都是阻感负载，在IGBT关断时刻，必须为负载提供续流回路，因此IGBT模块内部都并联了续流二极管，这样IGBT的反向特性就取决于续流二极管的的正向导通特性。
但是一些特殊的场合需要IGBT具有双向阻断能力，因此，才有了反向阻断的IGBT，也成为逆阻IGBT：RB-IGBT（ReverseBlocking），这类器件用的很少，一般很难买到，这时候可以采用IGBT和二极管串联的方式实现同样的功能。
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