dcdcmos管选型,40n20场效应管参数,代换,KIA40N20A-KIA MOS管
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40n20场效应管参数,代换,KIA40N20A
KIA40N20A漏源击穿电压200V，漏极电流40A，RDS(ON) =0.08Ω (Max) @VGS =10V，具有快速切换、低电阻、低栅极电荷特性，符合RoHS，高效率低损耗、稳定可靠，适用于DC-DC转换器、UPS DC-AC转换器、开关电源和电机控制，还可以用于逆变电路、安防、拉杆音箱、无线充电器。封装形式：TO-220、TO-3P。
40n20场效应管参数,代换,KIA40N20A
漏源电压：200V
栅源电压：±30V
漏电流连续：40A
脉冲漏极电流：120A
雪崩能量：800mJ
耗散功率：175W
热电阻：62.5/W
漏源击穿电压：200V
温度系数：0.2/℃
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：1560 PF
输出电容：370 PF
上升时间：32 ns
40n20场效应管参数,代换,KIA40N20A
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