80n10场效应管参数代换,KCX3310A参数引脚图,原厂批发-KIA MOS管
80n10场效应管,KCX3310A参数引脚图
KCX3310A场效应管采用先进的SGT技术，漏源击穿电压100V，漏极电流85A；低导通电阻RDS（导通）仅为5mΩ，极低的开关损耗，具有低RDS（开启）和FOM、卓越的稳定性和均匀性、快速切换和软恢复，高效可靠，适用于电源切换应用、硬开关和高频电路、不间断电源等。封装形式：DFN5*6、TO-263。
80n10场效应管,KCX3310A参数
漏源电压：100V
漏极电流：85A
漏源通态电阻(RDS(on))：5mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：340A
雪崩能量单脉冲：529MJ
总功耗：90W
总栅极电荷：66nC
输入电容：4600PF
输出电容：1250PF
开通延迟时间：17.6nS
关断延迟时间：33.6nS
上升时间：30.2ns
下降时间：39.6ns
80n10场效应管,KCX3310A参数规格书
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