mos是多子还是少子,mos为什么是多子器件？-KIA MOS管
mos为什么是多子器件
MOS管是单载流子（“多数载流子”）参与导电的器件，是单极型晶体管。
在MOSFET中，当施加适当的电压时，多数载流子（电子或空穴，取决于半导体类型）在半导体表面形成反型层，从而允许电流流动。因此，MOSFET是多子器件。
什么是多子（多数载流子），什么是少子（少数载流子）
对于本征半导体来说，是纯度非常高（99.9999999%，9个9）的单晶半导体，其电子很难从共价键中逃脱出来，以至于在绝对零度条件下完全不能导电。但是在室温环境下，会有少量电子会从共价键中脱离出来形成“自由电子”，而该共价键由于少了一个电子会形成了“空穴”。
所以对于半导体来说，“自由电子”和“空穴”便是载流子。
正是由于载流子的存在，本征半导体才有了“半”导电性，载流子浓度的多少，决定了材料的导电性能。
然而本征半导体对我们来说并没有用：本征半导体 “自由电子”数量非常非常少（硅电子/空穴浓度：101? cm?3，体电阻率约为10?Ω·cm），以至于其导电性能非常之差；我们要让半导体变的有用，首先得提升它的的导电性能：掺入特定杂质，让它成为杂质半导体；有两个方法来提升半导体的导电性能，从导电性能角度来说效果是完全一样的。
1. N型半导体：掺入5价杂质元素（磷、砷）的半导体；5价杂质原子与4价硅原子结合成共价键（8个电子），那必然会多余1个“电子”无共价键束缚，形成“自由电子”，而杂质原子因带正电荷成为正离子；
N性半导体的“自由电子”便是多子，而“空穴”则是少子。
2. P型半导体：参入3价杂质元素（硼、镓）的半导体；3价杂质原子与4价硅原子结合成共价键（需要8个电子），缺了1个价电子，在共价键中留下1个空穴；空穴很容易捕获电子使杂质原子成为负离子；
P型半导体的“空穴”便是多子，而“自由电子”则是少子。
MOS管结构原理：
以N-MOS为例，a：P型半导体做衬底;b：上边扩散两个N型区，c：覆盖SiO2绝缘层;在N区上腐蚀两个孔，然后金属化的方法在绝缘层和两个孔内做成三个电极：G(栅极)、D(漏极)、S(源极)。
工作原理：
一般衬底和源极短接在一起，Vds加正电压，Vgs=0时，PN结反偏，没有电流，Vgs加正电压，P衬底上方感应出负电荷，与P衬底的多子(空穴)极性相反，被称为反型层，并把漏源极N型区连接起来形成导电沟道，当Vgs比较小时，负电荷与空穴中和，仍无法导电，当Vgs超过导通阈值后，感应的负电荷把N型区连接起来形成N沟道，开始导电。Vgs继续增大，沟道扩大电阻降低，从而电流增大。
在MOSFET中，多数载流子是电子。这种器件的特性主要由多数载流子的浓度决定，而受温度影响较小。MOSFET的结构和工作机制使其成为多子器件的主要原因如下：
结构特点：MOSFET的结构包括金属栅极、氧化物层和半导体衬底。通过栅极电压的控制，可以在衬底中感应出多数载流子，形成导电通道。
工作原理：在MOSFET中，栅极电压控制着半导体衬底中的多数载流子（电子）的移动，从而控制电流的流动。这种电压控制电流的方式使得MOSFET具有高输入阻抗和快速的开关速度。
多数载流子的主导作用：在N型半导体中，电子是多数载流子，而在P型半导体中，空穴是多数载流子。MOSFET通常使用N型或P型半导体作为衬底，但无论是哪种类型，多数载流子在导电过程中起到主要作用。
掺杂浓度的影响：多数载流子的浓度主要由半导体的掺杂浓度决定。在MOSFET的设计中，通过控制掺杂浓度可以优化器件的性能，如导电性、开关速度等。
MOSFET是多子器件，是因为其结构和工作原理决定了多数载流子（电子）在导电过程中起主导作用，这种特性在数字和模拟电路中有着广泛的应用。
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