nce30p30k,30A 30V场效应管,KIA30N03B参数引脚图-KIA MOS管
nce30p30k,KIA30N03B场效应管参数引脚图
KIA30N03B采用先进的高单元密度沟槽技术，性能出色，漏源击穿电压30V，漏极电流30A，超低栅极电荷RDS（开启）=15mΩ@VDS=30V，减小损耗；具有出色的Cdv/dt效应下降、100%EAS保证、绿色设备可用，可靠稳定；广泛应用于同步降压转换器、DC-DC电源系统、负载开关中，封装形式：TO-251、TO-252。KIA30N03B可以代换新洁能nce30p30k。
nce30p30k,KIA30N03B场效应管参数
漏源电压：30V
漏极电流：30A
漏源通态电阻(RDS(on))：15mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：60A
雪崩能量单脉冲：72MJ
总功耗：25W
输入电容：572PF
输出电容：81PF
总栅极电荷：7.2nC
开通延迟时间：4.1nS
关断延迟时间：15.5nS
上升时间：9.8ns
下降时间：6.0ns
nce30p30k,KIA30N03B场效应管规格书
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
