ujt,单结晶体管图形符号,工作原理详解-KIA MOS管

ujt,单结晶体管详解

单结晶体管（UJT）又称基极二极管，只有一个PN结作为发射极而有两个基极的三端半导体器件，早期称为双基极二极管。其典型结构是以一个均匀轻掺杂高电阻率的N型单晶半导体作为基区，两端做成欧姆接触的两个基极，在基区中心或者偏向其中一个极的位置上用浅扩散法重掺杂制成 PN结作为发射极。当基极B1和B2之间加上电压时，电流从B2流向B1,并在结处基区对B1的电势形成反偏状态。

单结晶体管图形符号、结构、等效电路

单结晶体管是由单独的p型和n型半导体材料构成的，在器件的主导n型通道内形成一个单一的pn结（因此得名单结）。虽然单接合面电晶体晶体管的名称是晶体管，但它的开关特性与传统的双极型或场效应晶体管非常不同，因为它不能用来放大信号，而是用作开关晶体管。

UJT具有单向电导率和负阻抗特性，在击穿时更像一个可变的分压器。与n沟道场效应晶体管一样，UJT由一块n型半导体材料固体组成，形成主电流传输通道，其两个外部连接标记为Base2（B2）和Base1(B1)。第三个连接，被混淆地标记为发射器（e）位于通道沿线。发射器端子由一个从p型发射器指向n型基极的箭头表示。单接合面电晶体的发射极整流p-n结是通过将p型材料熔化成n型硅通道而形成的。然而，p通道UJT与n型发射极端子也可用，但这些是很少使用。发射极结沿通道定位，使其更接近终端b2而不是B1。在UJT符号中使用一个箭头，该箭头指向基极，表示发射极端子为正，硅条为负材料。

如果将一个信号加在发射极上，且此信号超过原反偏电势时，器件呈导电状态。一旦正偏状态出现，便有大量空穴注入基区，使发射极和B1之间的电阻减小，电流增大，电势降低，并保持导通状态，改变两个基极间的偏置或改变发射极信号才能使器件恢复原始状态。因此，这种器件显示出典型的负阻特性，特别适用于开关系统中的弛张振荡器，可用于定时电路、控制电路和读出电路。

单结晶体管的特性

单结晶体管的伏安特性，是指在单结晶体管的e、b1极之间加一个正电压Ue，在b2、b1极之间加一个正电压Ubb，其发射极电流Ie与发射极电压Ue的关系曲线。

单结晶体管的Ie——Ue伏安特性曲线如图所示。

由单结晶体管的伏安特性曲线可见：

（1）当发射极所加的电压Ue＜Up(峰点电压，约6～8V)时，单结晶体管的Ie电流为很小的反向漏电电流，即曲线的AP段。此时，单结晶体管是处于截止状态的，其e、b1极之间的等效阻值非常大，e、b1极之间相当于一个断开的开关。

（2）当发射极所加的电压Ue越过Up峰点电压后，单结晶体管开始导通，随着导通电流Ie的增加，其e极对地的电压Ue是不断下降的，即曲线的PV段。在曲线的PV段，其动态的电阻值是负值的，这一区间又叫负阻区。负阻区是一个过渡区，时间很短，随着Ie电流的增加，电压Ue将很快达到谷点电压Uv。

（3）当Ie增加到谷点电压所对应的电流，即谷点电流Iv之后，Ue将随Ie的增加而增加，即曲线的VB段，其动态电阻是正值的，这一区间又称为饱和区。单结晶体管工作在饱和区时，其e、b1极之间的等效阻值非常小，e、b1极之间相当于一个闭合的开关。

综上所述，单结晶体管的e、b1极之间，相当于一个受发射极电压Ue控制的开关，故可以用来作振荡元件。

单结晶体管极性的判断

单结晶体管极性的判断方法常有两种，一种是从外观来看，另一种是用万用表来测量。

（1）外观判断法。从外观上看，引脚与外壳相通的电极，一般是b1极；与凸耳相靠近的电极一般为e极。

（2）万用表判断法

1）发射极e的判断

单结晶体管，也叫双基极二极管，有e、b1、b2三个电极，其三个管脚的极性可用万用表的R×1K挡来进行判断。测任意两个管脚的正向电阻和反向电阻，直到测得的正反向电阻都基本不变时（一般约10KΩ～30 KΩ，不同型号的管阻值有差异），这两个管脚就是两个基极，剩下的另一个管脚就是发射极e。

2）b1、b2电极的判断

在判断出发射极e的基础上，万用表量程置于R×1K挡，黑表笔发射极，红表笔分别接另外两个极，万用表两次均会导通，两次测量中，电阻大的一次，红表笔接的就是单结晶体管的b1极。

联系方式：邹先生

联系电话：0755-83888366-8022

手机：18123972950（微信同号）

QQ：2880195519

联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109

请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号

请“关注”官方微信公众号:提供  MOS管  技术帮助

免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。