ujt,单结晶体管触发电路,原理图,工作原理-KIA MOS管
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单结晶体管触发电路原理图
电路组成:
1.同步降压变压器T,作用是把220v交流电降压,且相位和市电一致。
2.桥式整流电路,把交流电变为脉动直流电。
3.稳压二极管Vw和Rw作用是削波,把脉动直流变为梯形波。
4.R是限流电阻,它的大小直接影响电容器c的充电速度,进一步影响晶闸管的控制角和导通角。
5.单结晶体管,和电阻R,电容器c,电阻R1组成弛张振荡器,为晶闸管提供触发脉冲。
单结晶体管触发可控整流电路
图中下半部分是半控桥整流电路,上部分为单结晶体管触发电路
单结晶体管的电源不是采用直流电源,而是由降压变压器二次侧经桥式整流后,再用稳压管限幅,削区整流波的波顶部分,从而得到一个个梯形波。
以此作为单结晶体管电源,其目的是使单结晶体管振荡器在每个梯形波结束时刻,由于电源电压为零,使电容上电压亦为零,在下一个梯形波开始时刻,电容c均是从零压开始充电到峰点电压,因而每个梯形波所产生的第一个脉冲所需要的时间均相同,而梯形波过零时刻与晶闸管电压过零时刻是相同的,故而第一个触发脉冲的控制角均相同,这样输出电压波形中晶闸管在每个半波内的导通角相同,这称为同步触发。
尽管在每个梯形波期间内,振荡器还会产生多个脉冲,但晶闸管受第一个脉冲触发导通后,以后的脉冲均不起作用。
改变电位器RP的值,可改变电容充电的快慢,从而控制每个梯形波第一个脉冲出现的时刻,达到调节整流电压的目的,单结晶体管产生的脉冲同时触发两个晶闸管的门极,在某个半波时,其中一个晶闸管正偏则触发导通,另一个晶闸管反偏虽然触发但不能导通。
用一个晶体管代替可调电阻,利用改变晶体管基极电流能改变其等效电阻的原理。把手控方式改为电压控制方式。
图中V2(PNP)管是利用其等效电阻代替电位器RP,V1(NPN)管作为直接耦合放大器,控制信号ui由三极管基极输入,当ui增大时,V1管集电极电流和V2管基极电流增大,V2管的等效电阻减小,使电容充电加快,触发脉冲提前发出,控制角减小,整流输出电压升高。
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