mosfet栅极电阻,mos管栅极电阻的作用-KIA MOS管
mos管栅极电阻
MOS管具有高输入阻抗、低噪声、低功耗等优点,广泛应用于模拟和数字电路中。其中,栅极电阻是MOS管中一个重要的参数,它对MOS管的性能和特性有着重要的影响。
栅极电阻指的是在MOS管工作时,由于栅极与衬底之间存在一定的电阻而产生的效应。它是指在给定的偏置下,栅极电压变化所引起的栅极电流变化率。
mos管栅极电阻的作用
在图中mos管Q电路中,在栅极处连接了两个电阻,R38,R42。
R38电阻的作用是:
1.减缓Rds从无穷大到Rds(on)(一般0.1欧姆或者更低)。
2.若不加R38电阻,高压情况下便会因为mos管开关速率过快而导致周围元器件被击穿。但R38电阻过大则会导致MOS管的开关速率变慢,Rds从无穷大到Rds(on)的需要经过一段时间,高压下Rds会消耗大量的功率,而导致mos管发热异常。
R42电阻的作用是:
1.作为泄放电阻泄放掉G-S的少量静电,防止mos管产生误动作,甚至击穿mos管(因为只要有少量的静电便会使mos管的G-S极间的等效电容产生很高的电压),起到了保护mos管的作用。
2.为mos管提供偏置电压。
MOS管栅极电阻的主要作用
包括限制驱动电流、防止瞬间大电流损坏驱动芯片、减缓MOS管的导通和关断速度、消除振荡信号以及保护周围元器件免受高压击穿。
限制驱动电流:通过设置合适的电阻值,可以防止瞬间驱动电流过大,从而保护驱动芯片不受损坏。
防止瞬间大电流:在MOS管开启时,相当于对电容充电,瞬间电流非常大,通过串接电阻可以限制这个瞬间电流,防止驱动芯片因电流过大而损坏。
消除振荡信号:由于驱动信号通常包含丰富的频率分量,而MOS管电路中存在寄生电容和电感,容易产生振荡信号。栅极电阻可以提供一个阻尼,吸收这种振荡信号,从而稳定电路性能。
保护周围元器件:在高压情况下,如果不加栅极电阻或电阻值设置不当,可能会导致周围元器件被击穿。
减缓导通和关断速度:虽然减小栅极电阻可以加快MOS管的开关速度,但过小的电阻值会导致MOS管导通速度过快,可能会在高压情况下导致更多的功率消耗和发热问题。
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