STD35P6LLF6参数代换,KIA8606A场效应管中文资料,优质现货-KIA MOS管
STD35P6LLF6代换,KIA8606A场效应管参数引脚图
KIA8606A采用先进的高单元密度沟槽技术的N沟道MOSFET，漏源击穿电压60V，漏极电流为35A，超低栅极电荷，提供卓越的开关性能；100%EAS保证、出色的Cdv/dt效应、绿色设备可用，稳定可靠；KIA8606A能够代换ST意法半导体STD35P6LLF6，为LED车灯、同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷，KIA3506A封装形式：TO-252、TO-251。
STD35P6LLF6代换,KIA8606A场效应管参数
漏源电压：60V
漏极电流：35A
漏源通态电阻(RDS(on))：20mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：80A
雪崩能量单脉冲：39.2MJ
总功耗：45W
总栅极电荷：19.3nC
输入电容：2423PF
输出电容：145PF
开通延迟时间：7.2nS
关断延迟时间：36.4nS
上升时间：50ns
下降时间：7.6ns
STD35P6LLF6代换,KIA8606A场效应管参数规格书
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