mos管与igbt的区别,mos和igbt应用区别-KIA MOS管

什么是MOS管？

MOS管即MOSFET，金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

有的MOSFET内部会有个二极管，这是体二极管，或者叫寄生二极管、续流二极管。

寄生二极管的作用，有两种解释：

MOSFET的寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

防止MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。

MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性。

什么是IGBT？

IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。

IGBT的电路符号并未统一，画原理图时一般是借用三极管、MOS管的符号，这时可以从原理图上标注的型号来判断是IGBT还是MOS管。

同时还要注意IGBT有没有体二极管，图上没有标出并不表示一定没有，除非官方资料有特别说明，否则这个二极管都是存在的。

IGBT内部的体二极管并非寄生的，而是为了保护IGBT脆弱的反向耐压而特别设置的，又称为FWD（续流二极管）。

判断IGBT内部是否有体二极管也并不困难，可以用万用表测量IGBT的C极和E极，如果IGBT是好的，C、E两极测得电阻值无穷大，则说明IGBT没有体二极管。

IGBT作为新型电子半导体器件，具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性。

MOS管与IGBT的结构特点

IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。

IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合，MOSFET存在导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点，在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。

相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能会慢于MOSFET，因为IGBT存在关断拖尾时间，由于IGBT关断拖尾时间长，死区时间也要加长，从而会影响开关频率。

mos管与igbt的区别

结构不同：MOS管是一种场效应管，由栅极、漏极和源极组成，栅极和漏极之间是一个p型或n型沟道。而IGBT是由一个n型沟道和一个pnp结构组成，它由一个门极、一个集电极和一个发射极组成，其中集电极和发射极之间是一个n型沟道。

工作原理不同：MOS管的栅极电压控制通道电阻，从而控制漏极电流;而IGBT的控制极(门极)控制n型沟道的导电性质，从而控制集电极和发射极之间的导通电阻，从而控制集电极电流。

导通电阻不同：IGBT的导通电阻比MOS管小，因此IGBT在高压、高电流的应用场合中更为常用。同时，IGBT在导通电阻小的情况下也具有较高的开关速度，因此在高频开关应用中也有广泛应用。

驱动电路复杂度不同：由于IGBT的电压和电流的极值较大，因此需要较复杂的驱动电路才能确保其可靠性和稳定性。而MOS管的驱动电路相对简单。

成本不同：MOS管的成本通常比IGBT低，因为MOS管的制造工艺更为成熟，而IGBT的制造工艺和材料成本相对较高。

mos和igbt应用区别

MOSFET优点是高频特性好，可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz，缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大；而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越，其导通电阻小，耐压高。

MOSFET应用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等等高频电源领域；IGBT集中应用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等领域。

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