p75nf75场效应管参数代换,KNX3308A参数引脚图-KIA MOS管
p75nf75场效应管参数代换,KNX3308A资料
KNX3308A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流80A，低rds开启，RDS（ON）值为6.2mΩ，以减少导电损耗，具有高雪崩电流，能够在额定工作条件下稳定运行，确保电路的安全可靠性；采用无铅和绿色设计，符合环保要求，能够替代HY1906、SRP75NF75、FH80N08场效应管在电动车控制器、逆变器、BMS保护板、储能电源等领域应用，封装形式：TO-220及多种选择。
p75nf75场效应管参数代换,KNX3308A参数
漏源电压：80V
漏极电流：80A
漏源通态电阻(RDS(on))：6.2mΩ
栅源电压：±25V
脉冲漏电流：340A
雪崩能量单脉冲：529MJ
总功耗：240W
总栅极电荷：76nC
输入电容：3110PF
输出电容：445PF
开通延迟时间：20.4nS
关断延迟时间：63nS
上升时间：67ns
下降时间：43ns
p75nf75场效应管参数代换,KNX3308A规格书
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