75nf75场效应管代换,75nf75场效应管参数,引脚图-KIA MOS管
75nf75场效应管代换,参数,引脚图
KIA75NF75场效应管采用先进的技术，漏源击穿电压80V，漏极电流80A，低Rds开启，RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V，减少导电损耗、提升效率；无铅和绿色设备的特点，符合环保要求；高雪崩电流，在运行时承受更高的冲击负载，提供更稳定和可靠的性能；在电动车控制器、逆变器、BMS中广泛应用，封装形式：TO-220、TO-263。
75nf75场效应管代换,75nf75场效应管参数
漏源电压：80V
漏极电流：80A
栅源电压：±25V
脉冲漏电流：340A
雪崩能量单脉冲：529MJ
最大功耗：240W
输入电容：3110PF
输出电容：445PF
开通延迟时间：20.4nS
关断延迟时间：67nS
上升时间：63ns
下降时间：43ns
75nf75场效应管代换,参数规格书
KIA75NF75场效应管以其出色的性能和功能，在各种电子设备中发挥着重要作用。它的低导通损耗、高雪崩电流和环保特性使其成为一款理想的选择，既满足了能量传输的高效率要求，又符合了环境保护的需求。
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