cmd5940参数,cmd5940场效应管代换,KIA23P10A原厂现货-KIA MOS管
cmd5940参数,KIA23P10A场效应管参数引脚图
KIA23P10A是一款能够替代cmd5940的P沟道MOSFET，采用先进的高单元密度沟槽技术，性能优越；漏源击穿电压为-100V，漏极电流为-23A，低导通电阻RDS（ON）值为78mΩ（在VGS=10V时为典型值），能够有效降低功耗；100%EAS保证、超低栅极电荷和出色的Cdv/dt效应下降，绿色设备，符合环保要求，封装形式：TO-252，在电动车报警器、开关电源等应用场景中表现稳定可靠。
cmd5940参数,KIA23P10A场效应管参数参数
漏源电压：-100V
栅源电压：±20V
漏电流连续：-23A
脉冲漏极电流：-75A
雪崩电流：18.9A
雪崩能量：157.2mJ
耗散功率：96W
栅极阈值电压：-1.2V
输入电容：3029PF
输出电容：129PF
上升时间：53.6ns
cmd5940参数,KIA23P10A场效应管参数规格书
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