12n10场效应管参数代换,防盗器专用mos管KIA6110A资料-KIA MOS管
12n10场效应管参数代换,KIA6110A参数引脚图
KIA6110A采用先进的高单元密度沟槽技术，是性能出色的N沟道MOSFET，能够代换12n10参数100V，15A场效应管在防盗器、LED驱动、DC-DC电源、负载开关中应用；KIA6110A漏源击穿电压100V，漏极电流12A，RDS（ON）=90mΩ@VGS=10v，提供出色的RDSON和栅极电荷，具有超低栅极电荷、出色的Cdv/dt效应设计等特性，稳定可靠；封装形式：TO-252、251，散热良好；符合RoHS和绿色产品要求，100%EAS保证，全功能可靠性获得批准。
12n10场效应管参数代换,KIA6110A参数
漏源电压：100V
漏极电流：12A
漏源通态电阻：90mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏极电流：24A
雪崩电流：11A
雪崩能量：7.3mJ
耗散功率：34.7W
栅极阈值电压：1.0V
总栅极电荷：26.2nC
输入电容：1535 PF
输出电容：60 PF
上升时间：8.2 ns
12n10场效应管参数代换,KIA6110A规格书
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