电机控制,电源mos管,KPS6110B场效应管参数引脚图-KIA MOS管
电机控制,电源mos管,KPS6110B参数引脚图
KPS6110B场效应管采用先进沟槽技术，漏源击穿电压-100V，漏极电流-12A，在VGS=-10V时，RDS（ON）=170mΩ（典型值），可靠且坚固、绿色设备可用，在电源管理、直流电机控制中提高优越的性能；封装形式：SOT89，小巧、安装方便、散热良好。
电机控制,电源mos管,KPS6110B参数
漏源电压：-100V
漏极电流：-12A
漏源通态电阻：170mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：-48A
雪崩能量单脉冲：49MJ
功率耗散：39W
总栅极电荷：19nC
输入电容：1228PF
输出电容：41PF
开通延迟时间：9nS
关断延迟时间：39nS
上升时间：6ns
下降时间：33ns
电机控制,电源mos管,KPS6110B参数规格书
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
