齐纳二极管和稳压二极管的区别详解-KIA MOS管
齐纳二极管和稳压二极管
稳压二极管（zener diode），也称齐纳二极管。它的特点是利用PN结反向击穿时，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变，从而起到稳压作用。
稳压二极管是根据击穿电压来分档的，广泛用于稳压电路和限幅电路中，其电路图符号及常见稳压二极管外形如图所示。
齐纳二极管的功能用途
齐纳二极管通常又叫做稳压二极管，它是硅二极管，专门设计用于在所谓的击穿区域中工作。因此，它们也被称为电压调节二极管。
击穿电压最大额定电压规定了在击穿之前可承受的反向电压。对于大多数情况，这至少是50V。反向偏置的普通二极管具有小到零的反向电流，因此二极管的行为类似于开路。然而，当超过最大额定电压时，会产生大的反向电流，并且二极管会被破坏。这种破坏发生在所谓的反向击穿电压或峰值反向电压（PIV）。齐纳二极管可以在反向偏置时以最佳方式工作，而不会被破坏，在达到正常二极管击穿电压的条件下导通。齐纳二极管击穿电压范围为2至200 V。
二极管能够在电路中的电流变化期间保持恒定的输出电压，从而在不同负载下稳定电压。因此，它们最常用作低电流电路的电压调节器。它们可以保护电路免受电压尖峰或过载或静电的影响。齐纳二极管也经常用于产生放大器电路的参考电压。
对于电压调节，齐纳二极管放置在与负载平行的反向偏置位置的电路中，二极管以所谓的齐纳效应运行。pn结是重掺杂的，这使其变窄并获得强电场。当反向偏置时，这种强烈的电场引起电离，其中电子被拉离其价轨道，从而它们变得自由并且可以流动。
齐纳二极管和二极管之间的差异
普通二极管与稳压二极管在结构、工作特性、掺杂程度等方面都存在不同。二极管是半导体元件，其行为类似于单向阀。它们基本上允许电流在一个方向上流动。如果被迫以错误的方向传导电流，常规二极管将被破坏，但齐纳二极管优化为在向后放置在电路中时工作。
材料
二极管由诸如硅和锗的半导体构成。在称为掺杂的过程中，半导体与诸如硼和磷的其他元素混合。齐纳二极管采用比普通二极管更重掺杂的硅制成。
二极管导电特性
普通二极管和齐纳二极管的主体上有一个标记。当电流从未标记到标记侧时，二极管被称为正向偏置。当电流是另一种方式时，它被称为反向偏置。
齐纳二极管导电特性
齐纳二极管放置在与负载平行的反向偏置位置的电路中。包括限流电阻，以确保不超过功率和最大电流规格。
二极管用途
通过去除部分信号，通过将AC电流改变为DC电流，二极管用作整流器。它们的一些其他功能还包括电气开关和倍压器。
齐纳二极管用途
齐纳二极管可以执行普通二极管的功能，但最常用作低电流电路的稳压器，因为它们可以在变化的负载下保持稳定的电压。
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