irf630,uf630参数代换,9A 200V场效应管,KIA4820N-KIA MOS管
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irf630,uf630代换,KIA4820N场效应管参数引脚图
KIA4820N场效应管采用专有的新型平面技术，性能出色，漏源击穿电压200V，漏极电流9A，RDS（开启）=260mΩ@VGS=10V，低栅极电荷可最大限度地减少开关损耗，快速恢复体二极管，稳定可靠，KIA4820N能够替代irf630、uf630场效应管应用在LED驱动、CRT、电视/显示器中，封装形式：TO-252、220。
irf630,uf630代换,KIA4820N场效应管参数
漏源电压：9V
漏极电流：200A
漏源通态电阻：260mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：36A
雪崩能量单脉冲：300MJ
功率耗散：83W
总栅极电荷：16nC
输入电容：670PF
输出电容：78PF
开通延迟时间：6.8nS
关断延迟时间：20nS
上升时间：5.8ns
下降时间：5ns
irf630,uf630代换,KIA4820N场效应管参数规格书
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