耗尽区宽度计算公式,耗尽区宽度与掺杂浓度关系-KIA MOS管
耗尽区宽度
内建电场公式：
对耗尽区电场进行积分，可得到内建电势Vbi
对于单边突变结，PN结一侧的掺杂浓度远高于另一侧时，如P+N结
耗尽层主要分布在低掺杂一侧，同时内建电场峰值取决于低掺杂一侧的杂质浓度。
耗尽区宽度与掺杂浓度关系
?耗尽区宽度与掺杂浓度的关系是：高掺杂浓度导致耗尽区宽度变窄，而低掺杂浓度则导致耗尽区宽度变宽。
原理主要涉及到半导体物理中的扩散和漂移现象，以及它们如何影响耗尽区的形成。
扩散与漂移现象：
在半导体中，掺杂是指通过引入杂质原子来改变材料的导电性质。这些杂质原子可以提供额外的电荷载体（电子或空穴），从而影响材料的导电性。
扩散是指电荷载体（电子或空穴）从高浓度区域向低浓度区域的运动。在?PN结中，这种扩散作用会导致耗尽区的形成。
漂移则是指电荷载体在电场作用下的定向运动。在耗尽区内，由于存在内建电场，少数载流子（电子或空穴）会受到电场的作用而发生漂移运动。
耗尽区宽度的变化：
当掺杂浓度较高时，单位长度区域内的载流子数量更多，离子数量也更多。这使得在较少的单位长度内就能建立起“一定强度的内电场”，使得PN结进入动态平衡阶段（宽度不再发生变化），因此耗尽区宽度变窄。
相反，当掺杂浓度较低时，单位长度区域内的载流子数量更少，离子数量也更少。这需要更多的单位长度才能建立起相同的内电场，使得PN结进入动态平衡阶段，因此耗尽区宽度变宽。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
