阈值电压的计算公式分享-KIA MOS管
常见的阈值电压计算公式：
MOSFET的阈值电压： 对于金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其阈值电压可以通过以下公式计算：
Vth = Vt0 + γ(√|2φF + Vsb| - √|2φF|)
其中，Vth为阈值电压，Vt0为零偏电压，γ为衰减系数，φF为内建电势，Vsb为源极与基极之间的电压。
BJT的阈值电压： 对于双极型晶体管（BJT），其阈值电压可以通过以下公式计算：
Vth = Vbe_on - (KT/q) * ln(Ic/Is)
其中，Vth为阈值电压，Vbe_on为基极-发射极的正向电压，KT为玻尔兹曼常数乘以温度，q为电子电荷，Ic为集电极电流，Is为发射极饱和电流。
NMOS管的阈值电压公式
nmos晶体管的阈值电压公式为Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0为晶体管的基础阈值电压，γ为晶体管的偏置系数，φF为晶体管的反向偏置电势，Cox为晶体管的欧姆容量。
阈值电压怎么求
计算阈值电压方法的过程：
方法A相对来说比较容易操作，在早期的阈值电压测试中会经常用到，不过现在随着工艺的先进，这种方法再够精准无误了，所以，方法B逐渐开始采用，但实际上JEDEC定义的不够准确，它是把VDS忽略掉了。正确计算的方法如下，根据线性区的电流方程：
阈值电压与哪些因素有关
一个特定的晶体管的阈值电压和很多因素有关，包括backgate的掺杂，电介质的厚度，栅极材质和电介质中的过剩电荷。
1、背栅的掺杂
背栅（backgate）的掺杂是决定阈值电压的主要因素。如果背栅掺杂
越重，它就越难反转。要反转就要更强的电场，阈值电压就上升了。MOS管的背栅掺杂能通过在介电层表面下的稍微的implant来调整。
2、电介质
电介质在决定阈值电压方面也起了重要作用。厚电介质由于比较厚而削弱了电场。所以厚电介质使阈值电压上升，而薄电介质使阈值电压下降。
3、栅极的物质成分
栅极（gate）的物质成分对阈值电压也有所影响。如上所述，当GATE和BACKGATE短接时，电场就施加在gate oxide上。
4、介电层与栅极界面上过剩的电荷
GATE OXIDE或氧化物和硅表面之间界面上过剩的电荷也可能影响阈值电压。这些电荷中可能有离子化的杂质原子，捕获的载流子，或结构缺陷。电介质或它表面捕获的电荷会影响电场并进一步影响阈值电压。如果被捕获的电子随着时间，温度或偏置电压而变化，那么阈值电压也会跟着变化。
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