KIA730H中文资料PDF,kia730h代换irf730场效应管-KIA MOS管
kia730h代换irf730场效应管参数引脚图
KIA730H可以代换irf730场效应管应用在开关电源、逆变器、电机驱动器、开关转换器中。kia730h漏源击穿电压400V,漏极电流6A,RDS(ON),typ.=0.83Ω@VGS=10V,具有较低的导通电阻,低栅极电荷(典型值为20nC),可最大限度地减少导通损耗;快速切换能力,改进的dv/dt能力,极高的雪崩击穿耐量,确保性能稳定可靠;封装:TO-220、220F、251、252,多种封装满足不同需求。
kia730h代换irf730场效应管参数
漏源电压:400V
栅源电压:±30V
漏电流连续:6.0A
脉冲漏极电流:24A
雪崩能量:270mJ
耗散功率:73W
栅极阈值电压:2.0V
输入电容:520PF
输出电容:80PF
上升时间:60ns
kia730h代换irf730场效应管参数规格书
联系方式:邹先生
联系电话:0755-83888366-8022
手机:18123972950(微信同号)
QQ:2880195519
联系地址:深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明:本网站部分文章或图片来源其它出处,如有侵权,请联系删除。