KIA830H参数引脚图中文资料,替代irf830,5n50场效应管-KIA MOS管
KIA830H场效应管资料,替代irf830,5n50
KIA830H场效应管可以替代irf830,5n50型号应用在HD安定器、适配器、充电器和SMPS备用电源中；KIA830H性能出色，漏源电压500V，漏极电流5A，开启状态下的电阻为1.0Ω，稳定可靠；具有低电阻和低栅极电荷的特点，符合RoHS环保要求，在峰值电流或脉冲宽度方面，都能够表现出卓越的性能；两种封装形式：TO-220、TO-252，方便安装使用。
KIA830H场效应管参数,替代irf830,5n50
漏源电压：500V
漏极电流：5A
栅源电压：±20V
最大功耗：100W
开启电压：2~4V
输入电容：730PF
输出电容：80PF
开通延迟时间：13nS
关断延迟时间：40nS
上升时间：15ns
下降时间：20ns
KIA830H场效应管规格书,替代irf830,5n50
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