8N50场效应管参数代换,KNF4850A参数引脚图,原厂现货-KIA MOS管
8N50场效应管,KNF4850A参数引脚图
KNF4850A场效应管可以替代8N50型号应用在hid安定器、适配器、充电器、SMPS备用电源中；KNF4850A漏源电压500V，漏极电流9A，RDS(on)=0.7Ω(typ.)@VGS=10V，低栅极电荷使开关损耗最小化；快恢复体二极管、符合RoHS环保要求，稳定可靠；封装形式：TO-220F，散热性能良好。
8N50场效应管,KNF4850A参数
漏源电压：500V
漏极电流：9A
漏源通态电阻：0.7Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：32A
雪崩能量单脉冲：400MJ
功率耗散：36W
总栅极电荷：24nC
输入电容：960PF
输出电容：110PF
开通延迟时间：11nS
关断延迟时间：46nS
上升时间：17ns
下降时间：22ns
8N50场效应管,KNF4850A参数规格书
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