9a 500v mos管,KNY4850S场效应管参数引脚图,中文资料-KIA MOS管
9a 500v,KNY4850S场效应管参数引脚图
KNY4850S场效应管漏源电压500V，漏极电流9A，在VGS=10V时，RDS（ON）=0.7Ω（典型值），低电阻减小损耗，提高效率，低栅极电荷使开关损耗最小化；符合RoHS环保要求，稳定可靠；能够在适配器、电视主电源、SMPS电源、液晶面板电源中展现出色的性能，封装形式： DFN5*6，体积小巧，便于布局和安装。
9a 500v,KNY4850S场效应管参数
漏源电压：500V
漏极电流：9A
漏源通态电阻：0.7Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：28A
雪崩能量单脉冲：400MJ
功率耗散：38W
总栅极电荷：24nC
输入电容：960PF
输出电容：110PF
开通延迟时间：11nS
关断延迟时间：46nS
上升时间：17ns
下降时间：22ns
9a 500v,KNY4850S场效应管参数规格书
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