提高晶体管开关速度的途径,方法图文-KIA MOS管
晶体管的增速电容器
在BJT采用电压驱动时，虽然减小基极外接电阻和增大基极反向电压，可以增大抽取电流，这对于缩短存储时间和下降时间都有一定的好处。但是，若基极外接电阻太小，则会增大输入电流脉冲的幅度，将使器件的饱和程度加深而反而导致存储时间延长；若基极反向电压太大，又会使发射结反偏严重而增加延迟时间，所以需要全面地进行折中考虑。
为了通过增大基极驱动电流来减短延迟时间和上升时间的同时、又不要增长存储时间和产生其它的副作用，理想的基极输入电流波形应该是如图所示阶梯波的形式，这样的阶梯波输入即可克服上述矛盾，能够达到提高开关速度的目的。
实际上，为了实现理想的基极电流波形，可以方便地采用下图所示的基极输入回路（微分电路），图中与基极电阻RB并联的CB就称为增速电容器。在基极输入回路中增加一个增速电容器之后，虽然输入的电流波形仍然是方波，但是通过增速电容器的作用之后，所得到的实际基极输入电流波形就变得很接近于理想的基极电流波形了，于是就可以减短开关时间、提高开关速度。
肖特基箝位
利用肖特基箝位也是提高晶体管开关速度的另外一种方法，如图，肖特基箝位在基极-集电极之间，这种二极管开关速度快，正向压降比PN结小，准确来说叫做肖特基势垒二极管。
由于肖特基二极管的正向压降比晶体管的Vbe小，因此，本来应该流过晶体管的大部分基极电流通过D1被旁路掉了，这时候流过晶体管的基极电流非常小，所以可以认为这时晶体管的导通状态很接近截止状态。
如下图，上面的B点的波形，下面的是A点的波形，可以看出来，晶体管由导通到截止的滞后时间几乎为零，由截止到导通上升沿不是很抖是因为密勒效应增加了晶体管的输入电容的结果。
肖特基箝位可以看做是改变晶体管的工作点，减小电荷存储效应的影响，提高开关速度的方法，肖特基箝位电路不像接入加速电容那样会降低电路的输入阻抗，所以当驱动开关电路的前级电路的驱动能力较低时，并且要求关断速度快但是开启速度不做要求的场合。
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