KIA24N50H替代24n50场效应管参数,500V 24A,中文资料-KIA MOS管
KIA24N50H替代24n50场效应管参数引脚图
KIA24N50H场效应管采用先进的平面条纹DMOS技术生产，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。KIA24N50H可以替代24n50型号应用在开关电源、LED驱动、逆变器、电动车控制器中。
KIA24N50H场效应管漏源电压500V，漏极电流24A，低导通电阻RDS（ON）=0.16Ω@VGS=10v，低栅极电荷（典型90nC），使开关损耗最小化，提高效率；具有高坚固性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，稳定可靠；封装形式： TO-3P。
KIA24N50H替代24n50场效应管参数
漏源电压：500V
漏极电流：24A
漏源通态电阻：0.16Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：96A
雪崩能量单脉冲：1150MJ
功率耗散：290W
总栅极电荷：90nC
输入电容：3500PF
输出电容：520PF
开通延迟时间：100nS
关断延迟时间：200nS
上升时间：250ns
下降时间：150ns
KIA24N50H替代24n50场效应管参数规格书
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