nmos防反接保护电路,原理图-KIA MOS管
基于NMOS的防反接电路
基于NMOS的防反接电路如图所示：
NMOS用于控制电源负极；
NMOS的漏极D接输入电源负极，NMOS的源极S接板内电源负极；
当电源正接时，上电初期，Vs=Vg=Vin，由于NMOS寄生二极管的存在，NMOS的漏极与源极导通，Vs=Vd+0.7V，而Vd=GND，故Vs=0.7V左右，Vgs=Vin-Vd6，选型合理的话，Vgs＞Vth，故NMOS导通。导通后，设通过电流为I，NMOS的导通阻抗为Rds(on)，则板内地平面与输入电源平面之间存在的压降为△V=I*Rds(on)。故使用NMOS进行防反接时需要关注由于导通阻抗带来的回流问题。
NMOS防反接电路原理
从图中可以看出，电源电流走向先经过负载然后从Q1 nmos的S极出nmos的D极，由于nmos的DS之间中存在寄生二极管，所以第一阶段负载两端的电压为：
第二阶段由于电源VCC还从R1、R2、Q1流过，由于R1和R2的存在会在Q1 nmos的GS之间建立压降：
这是一个正反馈的原理，当大于Q1 nmos的GS之间阈值电压，那么Q1 nmos的DS之间就会被导通，随着时间增加，nmos的DS之间就会等效为一个几毫欧姆的电阻，就算在两端流过大电流也不会有很大压降产生。此时负载两端电压为：
通常在高电压的场合，可以在R2两端加一个稳压二极管，防止电源受到干扰产生尖峰波，从而使得nmos的GS之间电压瞬间高于极限电压Vgss而烧毁，从HY1603D的极限参数表中可以得到Vgss最高为20V。
当然在低电压的场合完全用不到稳压二极管D2，所以电路图可以简化为下图所示。
一般情况下nmos防反接电路
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