pmos防反接电路设计,电路原理图-KIA MOS管
基于PMOS的防反接电路
当希望板内电源的负极与电源入口的负极直接接通时，可以使用PMOS防反接电路，电路图如图所示，由于寄生二极管的存在，当电源正接时，Vs=Vd-0.7V，此时D7被击穿，故Vgs<Vth，从而PMOS接通。当入口电源反接时，Vs=Vg，故PMOS不接通。
使用PMOS时需要注意：
PMOS的VDS应当满足最高反向电压的电压要求，否则寄生二极管可能被击穿；
PMOS的Rds(on)带来的压降会导致电源电压降低，降低幅度是否可以满足要求。
PMOS防反接保护电路
PMOS用作电源开关，将负载与电源连接或断开，在正确连接电源期间，MOSFET由于正确的VGS(栅极到源极电压)而导通，但在反极性情况下，栅极到源极电压太低而无法导通MOSFET并将负载与输入电源断开。
100R电阻是与齐纳二极管相连的MOSFET栅极电阻，齐纳二极管保护栅极免受过压。
MOSFET选择的主要参数
DS漏源电阻(RDS)：使用极低的RDS(漏源电阻)以实现低散热和极低的输出压降，更高的RDS将产生更高的热耗散。
D漏极电流：通过MOSFET的最大电流，如果负载电流需要2A电流，选择能够承受该电流的MOSFET。在这种情况下，漏极电流为3A的MOSFET是一个不错的选择。选择比实际需要大的参数。
DS漏源电压：DS漏源电压需要高于电路电压。如果电路需要最大30V的电压，则需要漏源电压为50V的MOSFET才能安全运行，始终选择大于实际需要的参数。反接时，MOSFET会因Vgs不足而关断，对负载电流和MOSFET都没有影响。
以上参数在正常情况下都是需要的，需要谨慎选择。
齐纳二极管电压的选择：
每个MOSFET都带有一个Vgs（栅极到源极电压）。如果栅极到源极电压增加超过最大额定值，这可能会损坏MOSFET栅极。因此，选择一个不会超过MOSFET栅极电压的齐纳二极管电压。对于10V的Vgs，9.1V齐纳二极管就足够了。确保栅极电压不应超过最大额定电压。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
