8n60场效应管参数代换,KIA8N60H参数引脚图,中文资料-KIA MOS管
8n60场效应管,KIA8N60H参数引脚图
KIA8N60H场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流7.5A，RDS（开）值仅为0.98Ω，具有良好的导通性能；超低栅极电荷仅为29nC，展现快速切换能力；具有快速开关时间、改进的dv/dt能力、高雪崩特性，高效稳定。KIA8N60H可以替代8N60型号在电源、LED驱动、PWM电机控制、高效DC-DC转换器和桥接电路中的高速开关应用，封装形式： TO-220、220F。
8n60场效应管,KIA8N60H参数
漏源电压：600V
漏极电流：7.5A
漏源通态电阻(RDS(on))：0.98Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：30A
最大功耗：147/48W
输入电容：1000PF
输出电容：110PF
反向传输电容：12PF
开通延迟时间：20nS
关断延迟时间：80nS
上升时间：50ns
下降时间：70ns
8n60场效应管,KIA8N60H参数规格书
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