76N60N参数代换,KCM3560A场效应管参数引脚图,76A 600V-KIA MOS管
76N60N参数代换,KCM3560A场效应管
KCM3560A场效应管可以替代76N60N使用，漏源击穿电压600V，漏极电流76A，RDS(on)typ.=36mΩ@VGS=10V；具有坚固的高压终端、指定雪崩能量、与离散快速恢复二极管相当的源极到漏极恢复时间、高温下规定的IDSS和VDS（ON）、隔离安装孔减少了安装硬件，专为电源、转换器和PWM电机控制的高电压、高速开关应用设计，特别适用于二极管速度和换向安全操作区域至关重要的桥式电路，为防止意外电压瞬变提供额外的安全裕度，性能出色；封装形式：TO-247。
76N60N参数代换,KCM3560A场效应管参数
漏电流连续：76A
漏电流脉冲：225.9A
栅源电压（连续）：±20V
耗散功率：595W
漏源击穿电压：600V
栅极阈值电压：2V
输入电容：6018 PF
输出电容：245 PF
反向传输电容：23PF
开通延迟时间：48.1nS
关断延迟时间：179.1nS
上升时间：114.8ns
下降时间：113.3ns
76N60N参数代换,KCM3560A场效应管规格书
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
