三极管反向击穿电压,BVcbo,BVceo,BVebo-KIA MOS管
三极管反向击穿电压,BVcbo,BVceo,BVebo-KIA MOS管
三极管反向击穿电压
三极管由三个区域组成：n型区（发射极）、p型区(基极）和n型区（集电极）。其中，发射极和集电极之间的电流放大作用是三极管的主要特性。当电压达到一定值时，三极管会出现反向击穿现象，导致电流急剧增大，可能损坏电路。
反向击穿电压是指在反向电压作用下，半导体材料中的电子空穴对被拉出，形成电流，从而导致器件损坏的电压。对于三极管而言，由于其内部存在两个p-n结（发射结和集电结)，因此它有三个反向击穿电压：BVCEO（集电极-发射极反向击穿电压）、BVCBO（集电极-基极反向击穿电压）和BVEBO（发射极-基极反向击穿电压）。
在三极管的三个反向击穿电压中，BVCEO是最大的，因为它决定了三极管的耐压值。一般来说，BVCEO在20V以上，甚至可以达到10O0V或更高。BVCBO次之，通常在50V至100V之间。而BVEBO最小，一般不超过20V。这是因为在三极管工作时，发射结通常处于正偏状态，而基极的电流较小，所以发射极-基极之间的反向击穿电压要求相对较低。
三个反向击穿电压的关系
BVcbo>BVceo>BVebo
首先三极管工作时其发射结一般处于正偏状态，故BVebo反向击穿电压要求不高，通常BVebo<20V，是最低的。
其次，反向击穿主要是漏电流引起的。集电极-基极漏电流Icbo经过β倍放大后成为集电极-发射极漏电流Iceo，故Iceo=βIcbo，而BVceo就小于BVcbo。
测试三极管反向击穿电压的方法
使用万用表进行测量，具体操作时将万用表调至合适的档位(如10K或100K),然后将红表笔接在发射极，黑表笔接在集电极或基极。
如果测量的是BVCEO，那么需要将万用表的正极接触到集电极，负极接触到发射极；如果测量的是BVCB0，那么需要将万用表的正极接触到集电极，负极接触到基极；如果测量的是BVEBO，那么需要将万用表的正极接触到发射极，负极接触到基极。
在测试过程中，如果三极管出现击穿现象，万用表上的指针会突然摆动到最大值，这样就可以判断出三极管的反向击穿电压。
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