Ciss和Coss和Crss,电容特性Ciss,Coss,Crss-KIA MOS管
Ciss和Coss和Crss,电容特性Ciss,Coss,Crss-KIA MOS管
MOSFET电气特性Ciss,Crss,Coss
在MOSFET中，栅极由一层薄的氧化硅实现绝缘。因此，功率MOSFET在栅极-漏极、栅极-源极和漏极-源极之间具有电容，具体如图所示。Ciss为输入电容，Crss为反馈电容，Coss为输出电容。电容会影响MOSFET的开关性能。
输入电容Ciss = Cgs + Cgd；
输出电容Coss = Cds + Cgd；
反向传输电容Crss = Cgd
这三个电容几乎不受温度变化的影响，因此，驱动电压、开关频率会比较明显地影响MOS管的开关特性，而温度的影响却比较小。
电容特性 (Ciss , Coss , Crss )
由于功率 mos 管的结构，会产生寄生电容（CGS、CGD、CDS）。这些寄生电容会影响开关特性。
输入电容，Ciss
输入电容 Ciss 影响延迟时间。当 Ciss 大时，延迟时间长，因为在功率 mos 管导通/关断时必须对大量电荷进行充电/放电。Ciss 越大，功率损耗越大。因此，Ciss 小的功率 mos 管是理想的。
C iss通过下式计算。
C iss = C GS+ C GD
输出电容，Coss
输出电容 Coss影响关断特性。
当 Coss 较大时，漏源电压 VDS 的电压变化率 dv/dt 在功率 mos 管关断时降低，从而降低了噪声的影响，但增加了导通关闭下降时间t f。
Coss通过下式计算。
C oss = C DS + C GD
反向传输电容，Crss
反向传输电容，Crss 也称为镜像电容。
Crss 影响高频特性。Crss 越大，越出现以下特征:
导通时漏源电压 VDS 的下降时间较长（导通上升时间 t r较长）
关断时漏源电压 VDS 的上升时间较长（关断下降时间 t f较长）
功率损耗大
反向传输电容 Crss 通过以下公式计算。
C rss = C GD
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