7n65f参数及代换,KNX4665B场效应管参数引脚图规格书-KIA MOS管
7n65f参数及代换,KNX4665B场效应管中文资料
KNX4665B场效应管可以替代7n65型号应用在DCDC转换器、电源适配器、镇流器、LED驱动中，漏源击穿电压650V，漏极电流7A，能够承受较大的电压压力及良好的导电性能；RDS（ON）的典型值为1.1Ω，低导通电阻，低栅极电荷最小化，有效降低开关损耗，提升整体性能；符合ROHS标准、配备快速恢复体二极管，可以有效减少反向恢复时间，提高开关速度，封装形式：TO-252、TO-220F。
7n65f参数及代换,KNX4665B场效应管参数
漏源电压：650V
漏极电流：7A
漏源通态电阻(RDS(on))：1.1Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：28A
雪崩能量单脉冲：400MJ
最大功耗：75/42W
输入电容：1048PF
输出电容：98PF
总栅极电荷：24nC
开通延迟时间：12nS
关断延迟时间：34nS
上升时间：12ns
下降时间：14ns
7n65f参数及代换,KNX4665B场效应管规格书
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